日前三星聯(lián)合Synopsys宣布3nm GAA工藝已經(jīng)流片成功 ，這是全球首個GAA晶體管工藝流片，意義重大。

然而三星并沒有透露3nm GAA工藝何時量產(chǎn)，這是最關(guān)鍵的部分。

日前有分析師援引高通高管之前的一個表態(tài)，認為2023年才會有3nm GAA工藝的芯片問世，但更現(xiàn)實的時間點是2024年，也是說要到3年后才能量產(chǎn)。

三星早在2019年公布3nm GAA工藝的PDK規(guī)范時就表示，預(yù)計3nm GAA工藝會在2020年底試產(chǎn)，2021年量產(chǎn)——現(xiàn)在來看，三星太樂觀了，3nm GAA工藝跳票了三年時間。

往好的方面看，3nm工藝用上GAA晶體管技術(shù)之后，變化還是值得期待的，與5nm制造工藝相比，3nm GAA技術(shù)的邏輯面積效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了約30%。

壞消息是，三星3nm GAA工藝假如拖到2024年才能量產(chǎn)，那時候臺積電的2nm工藝也差不多量產(chǎn)了，同樣用上了GAA晶體管技術(shù)，三星超越臺積電的愿望恐怕要收到打擊了。

關(guān)鍵詞： 三星3nm GAA 臺積電 3nm GAA 流片