在半導體工藝進入10nm節(jié)點之后，能玩得起的公司主要就是臺積電、三星和Intel了，現(xiàn)在是臺積電最為領先，今年下半年就要小規(guī)模量產(chǎn)3nm工藝了，有分析稱Intel會在2025年憑借18A工藝實現(xiàn)超越，不過臺積電也不會等著，現(xiàn)在已經(jīng)開始上馬1.4nm工藝了。

臺積電的芯片工藝也是準備了多代的，目前3nm是即將準備量產(chǎn)，2nm工藝工廠還在建設中，技術研發(fā)的差不多了，預定2024年試產(chǎn)，2025年才能量產(chǎn)，大量2nm芯片上市恐怕要到2026年了。

按照摩爾定律的演進，2nm節(jié)點之后會是1.4nm(每次迭代是0.7x上代工藝)，最新消息稱臺積電已經(jīng)決定上馬1.4nm工藝，團隊主要由之前研發(fā)3nm工藝的隊伍組成，下個月就會確認，進入第一階段TV0開發(fā)，主要是確定1.4nm技術規(guī)格。

當然，現(xiàn)在談論1.4nm工藝量產(chǎn)就太早了，按照臺積電3nm到2nm的升級間隔來算，1.4nm就算研發(fā)順利，量產(chǎn)也是2027到2028年的事了。

究其原因就是1.4nm工藝已經(jīng)進入1nm范疇，這個工藝節(jié)點被認為是摩爾定律的物理極限了，大約等于10個原子的直徑，制造起來是非常困難的，從半導體設備到材料再到工藝路線都要全面升級，需要克服量子隧穿效應，否則芯片就要失效了。

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